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开关电源损耗
开关电源基础08:
开关电源损耗
答:
开关电源
的效率并非完美,其内部损耗是影响能效的重要因素。MOS管在开关过程中的损耗,如在BUCK、BOOST和BUCK-BOOST拓扑中,与输入电压 Vin 密切相关。这些损耗主要包括:MOS管
开关损耗
: 在理想情况下,MOS管导通电阻为零,但实际中,Vgs变化会导致漏电流变化,Vds和Id的动态变化带来损耗。开关损耗与频率成...
开关电源
变压器的
损耗
主要包括
答:
1、输入部分损耗:包括脉冲电流造成的共模电感T的内阻损耗加大
,开关电源在通断的过程中,电流迅速变化,导致共模电感T的线圈中产生了很大的反电动势,这个反电动势阻止了电流的变化,使电流不能突变,从而产生了内阻损耗。2、输出部分损耗:包括变压器自身的损耗和输出滤波器的损耗。变压器自身的损耗主要包括...
开关电源
变压器的
损耗
主要包括
答:
3、
开关电源
变压器的铜阻
损耗
,主要是由于变压器的导线产生电流时所产生的电阻损耗。
开关电源
的八大
损耗
(3)
答:
5. 无源元件的隐形
损耗
尽管高效
开关
元件是关键,但电路板上的低损耗同步整流MOSFET和外置电感、电容同样不容忽视,它们对整体效率有着微妙的影响。6. 电感中的能量消耗 电感损耗由线圈电阻(DCR)和磁芯损耗两部分构成。DCR受线圈长度和横截面积影响,通过精细设计可以显著提高效率。磁芯损耗涉及磁滞和涡流...
什么是
开关电源
的三大
损耗
答:
功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一
。损耗基本上可分为两部分:导通损耗和开关损耗。导通损耗是当功率器件已被开通,且驱动和开关波形已经稳定以后,功率开关处于导通状态时的损耗;开关损耗是出现在功率开关被驱动,进入一个新的工作状态,驱动和开关波形处于过渡过程时的损耗。2、与输出...
开关电源
变压器的
损耗
主要包括
答:
铜耗、铁耗。1、铜耗:
开关电源
变压器在通电后,会在一次绕组上形成空载电流,这个电流作用在一次绕组上就会产生
损耗
,其中就包括铜损,因为一次绕组是由阻值的。2、铁耗:开关电源变压器的铁芯是由硅钢片组成的,铁芯在主磁通的作用下会产生涡流损耗,这个涡流损耗就是铁损。
详细讲解
开关电源
八大处
损耗
答:
动态
开关损耗
则主要来自MOSFET,随频率上升而增大。公式为:PSW(MOSFET) = 0.5 × VD × ID × (tSW(ON) + tSW(OFF)) × fS。如图5所示,计算出MOSFET损耗约为106mW,与实际测量值117.4mW相近,是效率优化的重要考虑因素。二极管的开关损耗受反向恢复时间tRR影响,与反向电流尖峰和偏置电压有关...
开关电源
变压器的
损耗
主要包括
答:
磁滞
损耗
、铜阻损耗。1、磁滞损耗:
开关电源
变压器的损耗主要包括由于变压器线圈中的磁场变化所产生的损耗。2、铜阻损耗:由于变压器线圈的电阻所产生的损耗。
开关电源
变压器
损耗
主要是
答:
磁滞
损耗
、铜阻损耗和涡流损耗。
开关电源
变压器是加入了开关管的电源变压器,在电路中除了普通变压器的电压变换功能,还兼具绝缘隔离与功率传送功能一般用在开关电源等涉及高频电路的场合,主要是磁滞损耗、铜阻损耗和涡流损耗,没有介电损耗。
如何降低
开关电源
变压器
损耗
答:
1、改用功耗参数更优秀的磁心材料,比如使用TDK的PC50材料替代PC40材料;2、降低磁通密度,但会增加线圈匝数而导致铜损增大,慎用;3、改变电路参数,比如降低
开关
频率,但会同时增加磁通密度,慎用,必要时配合绕组匝数调整;4、合理热设计,利用磁心材料温度与
损耗
曲线中的谷值;综合方法 1、根据各自散热条件,合理...
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