44问答网
所有问题
当前搜索:
直接带隙和间接带隙的区别
直接带隙和间接带隙的区别
是什么?
答:
直接带隙和间接带隙是两种不同的半导体材料,
它们的区别和特点如下:1. 区别:直接带隙材料:当入射光子能量等于材料能隙时
,材料可以吸收并转换为电子-空穴对。因此,直接带隙材料可以产生光电效应,并且可以通过光致发光和光电导性进行测量。间接带隙材料:当入射光子能量等于材料能隙时,材料只能吸收并...
直接带隙和间接带隙有什么区别
答:
材料的电子特性不同:直接带隙只需要吸收能量
,间接带隙不仅要吸收能量还要改变动量。电子能量值分布不同:直接带隙在同一位置,间接带隙在不同位置。
间接带隙和直接带隙的区别
答:
1、定义不同:直接带隙半导体材料中
,价带顶和导带底位于布里渊区中同一点,电子在价带被激发到导带后,其动量保持不变,而间接带隙半导体材料中,价带顶和导带底位于布里渊区中不同点,电子在价带被激发到导带后,其动量必须改变。2、
特点不同
:直接带隙材料具有高吸收率和高放电效率,并适合于光电...
直接带隙和间接带隙有什么区别
吗?
答:
两者的区别是:直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的
,而间接带隙的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底。这个过程中会有一部分能量以声子的形式浪费掉,从能量利用的角度上来说,直接带隙的半导体对光的利用率更好。ZnO具有直接带隙半导体材...
直接带隙和间接带隙有什么区别
答:
他们的区别在于价带顶和导带底是否拥有相同的波矢k
。直接带隙半导体电子跃迁时不需要释放或吸收声子(即晶格振动),而间接带隙半导体需要。而且声子的能量也是分立的,所以直接带隙半导体更容易跃迁。
直接带隙
半导体
与间接带隙
半导体
的异同
答:
简单的说
直接带隙
半导体就是导带最低点和价带最高点在k空间处于同一点的半导体,
间接带隙
半导体就是它们不处于同一点的半导体。你可以看一下下面的参考资料 参考资料:http://en.wikipedia.org/wiki/Direct_bandgap
LED 中 什么是“
直接带隙
材料”“
间接带隙
材料”
答:
导带的最高处和价带的最低处在相同k值的叫“
直接带隙材料
”,例如GaAs等 不在一处的就是“间接带隙材料”例如Si
能隙和带隙有什么区别
?
答:
带隙可以分为直接带隙和间接带隙两种,直接带隙指的是价带和导带之间的距离在相同的晶体内发生;而间接带隙指的是价带和导带之间的距离需要通过晶格中的其他能级进行跃迁。
直接带隙材料
通常具有较强的吸收和发光能力,而间接带隙材料则相对较弱。总的来说,能隙指的是价带和导带之间的能量间隔,带隙则...
ge是
直接带隙
半导体吗
答:
ge不是
直接带隙
半导体。根据查询相关公开信息显示,ge和si是
间接带隙
半导体。直接带隙半导体(Directgapsemiconductor)的例子:GaAs、InP半导体。电子在k状态时的动量是(h/2pi)k,k
不同
,动量就不同,从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量...
氧化锆是
直接
半导体还是
间接
半导体
答:
600-1000℃)具有良好的离子导电性,是导带最低点和价带最高点在k空间处于同一点的半导体,属于直接半导体。
直接带隙
半导体材料就是导带最小值和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴只需要吸收能量。
间接带隙
半导体材料导带最小值和满带最大值在k空间中
不同
位置。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜
半导体直接带隙和间接带隙
直接带隙材料和间接带隙材料
直接带隙和间接带隙怎么求
直接带隙是什么
直接带隙和间接带隙的n
直接能隙与间接能隙
间接带隙半导体材料
为什么间接带隙不适合做发光
直接带隙和间接带隙吸收光谱