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IGBT开启电压VGE是多少伏
igbt的开启电压
答:
IGBT的开启电压就是指门极(栅极 )和 源极 (IGBT不称发射极)之间的电压Vgs,
通常这个值在2~4V 左右,也有的的需要 6V 左右
,例如H40T120的Vgs就是5-6.5V 。
IGBT的
门极
电压Vge是15V
,但是e极接着直流母线,电压很高,怎么回事?_百...
答:
e是连接直流母线的负极端的,你说的
电压
高,你的参考点是真正的地端吧?对于
IGBT
来说,它的参考点是直流母线的负极。
IGBT的GE
threhold volta
ge是
typ-4.5,max-6.5.
答:
Vge(th)是栅极阈值电压的意思,超过6.5V弱导通(此时的IC很低),
正常导通的电压大约15V
。
IGBT
退饱和什么意思
答:
正常工作时是饱和,退饱和就是退出饱和区。IGBT发生桥臂直通短路后,Ic快速上升,上升到一定的数值后不再增加(跟芯片类型和Vge有关,
Vge=15V时
,一般为4In),然后Vce快速上升到直流电压,这就是退出饱和区进入线性区,这个时候的损耗很大
变频器里
的igbt的
管压降是什么意思
答:
管压降可以理解为电流通过时两端的
电压
例如二极管正向导通时的管压降硅管为0.7
V
锗管为0.3V 变频器中
的IGBT
模块触发导通时,同样会有管压降。压降乘以电流就是IGBT模块的发热耗散。相同的电流下,管压降越大,发热越大,管压降越小,发热越小。
IGBT
管的参数
答:
最大集电极-发射极
电压
(
V
_CES):
IGBT
能承受的最大电压,不超过这个电压会导致器件的损坏。栅极-发射极电压 (V_
GE
):最大栅极-发射极电压(V_GES):栅极和发射极之间允许的最大电压。超过这个值可能会损坏栅极氧化层。集电极电流 (I_C):最大集电极电流(I_CM):IGBT能够通过的最大电流。在应用中...
变频器
IGBT
怎么判断
GE
结是否偏低
答:
一般
IGBT的GE电压
在12-18V (15v) 有负压的则在-5 -10V(-8
v
)\ 利用示波器或者万用表测量 万用表则要注意安全而且上了强电不能用
igbt
功率管漏电问题
答:
如果你的功率管是场效应管,就把管子的源极和漏极反过来用就可以解决这个问题。即,漏极接电源,源极输出。如果是NPN型三极管,就在基极与地之间加一个10K电阻。
igbt
怎么测量好坏
答:
一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池
电压
太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断
IGBT的
好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的漏极(D),红表笔接IGBT的源极(S),此时万用表的指针。
igbt
驱动电路
IGBT
驱动电路的设计要求
答:
栅极电压过高,如超过20V,可能引发过流或短路,增大IGBT损坏的风险,因此一般选择+
15V
为宜。其次,需要提供足够的反向栅压,特别是在IGBT关断时,以抵消电路中可能产生的高频噪声,防止IGBT误触发或增加功耗。理想的反向栅压范围为5~15V。驱动电路应具备栅极电压限幅功能,保护栅极免受过电压损害,IGBT的...
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