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Si介电常数
硅的
介电常数
答:
硅的介电常数:3.9到11.7之间
。不同用途的硅胶有不同的介电常数,在电气行业中所用的高介电常数硅胶的介电常数高达(1KHZ)20-30;电子领域内目前主流散热器所用导热硅脂的介电常数都大于5.1。硅(Silicon),是一种化学元素,化学符号是Si,旧称矽。原子序数14,相对原子质量28.0855,有无定形...
Si
的
介电常数
、SiF4的介电常数为多少?
答:
Si的相对介电常数为11.9
,真空的为8.854e-14F/cm.相乘即为Si的介电常数.SiF4常温为气体,不太清楚气体的介电常数如何衡量.应该与摩尔浓度有关.低温下固态SiF4的介电常数不清楚.但根据低温超导现象判断,应该非常小.
介电常数
的单位
答:
介电常数(Dielectric Constant),
也称电容率,是描述物质在电场中对电荷分布的影响程度的物理性质之一
。它通常用ε(epsilon)表示,其单位因国际单位制(SI单位制)和厘米-克-秒单位制(CGS单位制)不同而有所不同。在国际单位制(SI单位制)中,介电常数ε的单位为法拉/米(F/m),也可以用库仑/...
介电常数
是什么意思?
答:
介电常数分为:(1)绝对介电常数(absolute dielectric constant)ε0
,定义为1/μ0c2,其中μ0为真空磁导率,c为光在真空中的速度;(2)介电常数,定义为电通量密度D除以电场强度E。其SI单位为法/米,常用微法/米、纳法/米、皮法/米;(3)相对介电常数(relative dielectric constant)εr,...
SI
9000阻抗计算教程
答:
SI
9000参数详解:H1:外层到次外层的介质厚度。Er1:PP层的
介电常数
,决定电路性能。W1:阻抗线下线宽度,即设计线宽。W2:阻抗线上线宽,通常考虑1oz铜厚度的侧蚀效应。T1:阻抗线总铜厚,包括基板和电镀铜。C1:走线间基材阻焊厚度,需注意走线间隙影响。C2:线面阻焊厚度,后处理时考虑。CEr1:阻焊材料...
SiO2和
Si
3N4绝缘性能比较
答:
介电常数
SiO2:3.9,
Si
3N4:7.0 传统工艺一般采用SiO2做阻挡层,但当其厚度减小时,漏电流增大,并出现杂质扩散现象,影响器件性能。在纳米尺寸,由于Si3N4的介电常数比SiO2高,实验数据中Si3N4作绝缘层时漏电流比SiO2小几个数量级,但Si3N4具有难以克服的硬度和脆性。建议试用SiNxOy.补充解释:这...
请问SIC半导体与硅半导体的主要差别是什么?
答:
宽带隙使第三代半导体具有许多共同的性能特点,包括高熔点、高临界击穿电场、高热导率、小的
介电常数
、大的激子束缚能、大的压电系数以及较强的极化效应等。 SiC电学性能 SiC具有较高的临界击穿电场、高热导率和饱和电子迁移率等特点,适合于制造大功率、高温、高频和抗辐射的半导体器件...
硅胶是什么材料?
答:
有机硅产品的主链为-
Si
-O-,无双键存在,因此不易被紫外光和臭氧所分解。有机硅具有比其他高分子材料更好的热稳定性以及耐辐照和耐候能力。有机硅中自然环境下的使用寿命可达几十年。3.电气绝缘性能 有机硅产品都具有良好的电绝缘性能,其
介电
损耗、耐电压、耐电弧、耐电晕、体积电阻系数和表面...
半导体的基础:何谓前道、后道工序工艺
答:
前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。湿制程主要是由液体参与的流程,如清洗、电镀等。干制程则与之相反,是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。由于对Low-K材料的要求不断提高,仅仅...
人类怎么发现电的,第一次利用是怎么激起的
答:
1772 意大利 加凡尼(Galvani,1737-1798)提出带电体间的平方反比定律、
介电常数
概念。1775 意大利 伏特设计起电盘。1779 法 国 库仑提出摩擦定律。1780 意大利 加凡尼(Galvani,1737-1798)发现两种不同金属相碰会产生,并称为动物电。1785 法 国 库仑(Columb,1736-1806)发现带电体相互间之静电平方反比定律...
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