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igbt开关速度
igbt
的特点和选择方法
答:
3. 高开关速度:IGBT具有快速的开关速度,能够在短时间内切换导通和截止状态
。4. 可控性:通过适当的门极电压和电流,IGBT的导通状态可以被精确地控制。5. 集成电流保护:现代IGBT通常包括集成的过电流保护功能,以避免器件因过电流而损坏。6. 耐电磁干扰:IGBT通常能够抵御电磁干扰,使其在嘈杂的工作环...
mosfet和
igbt
的区别
答:
从产品上来说,IGBT一般用在高压功率产品上,
从600V到几千伏都有,MOSFET应用电路则从十几伏到一千左右
。2、工作原理的区别 对于MOSFET来说,仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应,所以很容易实现极端的开关时间。PowerMosfet的开关的高频特性十分优秀,所以可以用在高频场和,在低电压工作状态下,开关...
IGBT开关速度
答:
回答:
IGBT
的
开关速度
受电流上升率的限制,你说的1微妙很难做到的,也就说说跟电流的大小有关
IGBT
与MOSFET的
开关速度
比较?
答:
因功率MOSFET具有
开关速度
快,峰值电流大,容易驱动,安全工作区宽,dV/dt耐量高等优点,在小功率电子设备中得到了广泛应用。但是由于导通特性受和额定电压的影响很大,而且工作电压较高时,MOSFET固有的反向二极管导致通态电阻增加,因此在大功率电子设备中的应用受至限制。
IGBT
是少子器件,它不但具有非常好...
为什么
IGBT开关速度
块,能实现小电流控大电流
答:
IGBT
是一个复合管,它是由2个三极管与一个场效应管集成到一个的复合管,在三极管的基极输入电压,经二极放大驱动场效应管,场效应管导通,主回路可通过很大电流。控制过程全部为电的传输过程,因此
速度
快。控制以电压驱动实现,电流很小。大电流是场效管的主回路。
请问
IGBT
的
开关速度
过高会导致浪涌电压的产生,这个说法从原理上该如何...
答:
当
IGBT
动作
速度
过快,没有在电源电流过零或者过零附近就将电源切断,在电机中由于原有电流所产生的磁场将感应出一个过电压,这个过电压通过导体传导到IGBT,由于两者之间的波阻抗相差很大,过电压波将被反射回去,放射回去的电压波形与原有的电压波形叠加,产生了浪涌电压。这个过电压会多次反射从而使得电压...
IGBT
,GTR,VMOSFET,SCR,GTO的
开关速度
比较?答案
答:
IGBT
的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz(1000KHz),应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为:GTO<SCR<GTR<IGBT<MOSFET 另外,设计电路中选择功率器件不能只考虑频率,还有如
开关
损耗、驱动电路的设计、电流电压等级,所以说这是个折衷考虑的...
IGBT
的特点是什么?
答:
IGBT 开关速度
高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿...
接触器和
IGBT
区别
答:
开关速度
:
IGBT
的开关速度要远快于接触器。接触器的开关速度主要取决于电磁线圈吸引和释放机械触点的速度,而IGBT的开关速度则取决于控制电压的变化速度,因此通常来说,IGBT可以实现更高的开关频率。耐久性:由于没有物理接触,IGBT的磨损十分小,因此具有更好的耐久性和更长的使用寿命。而接触器由于使用时...
IGBT
与MOSFET的
开关速度
哪个更快?
答:
MOSFET更快,
IGBT
更慢(一般为15~20kHZ,30~40kHZ)
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