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mosfet工作原理
mosfet
是什么
答:
- 半导体(Semiconductor):主体是半导体材料,常用硅。2. 工作原理 -
在没有电压施加到栅极时,MOSFET中的沟道是截至的,不导电
。- 当在栅极上施加电压时,形成的电场改变了半导体中的电荷分布,使得在半导体中形成一个导电通道。- 这个通道的导电性质由栅极电压控制,从而调控了电流的流动。3. 类型:...
mosfet工作原理
答:
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的工作原理是基于半导体物理学和电场效应
。它是一种固态半导体器件,主要分为N沟道型(N-channel)和P沟道型(P-channel)两种类型,下面将分别介绍它们的工作原理:N沟道MOSFET(N-channel MOSFET):1. 主要结构:N沟道MOSFET通常由三个主要部分组成:源极(Source...
mosfet工作原理
答:
MOSFET是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的缩写。它是一种电子器件,用于控制和放大电流
。 MOSFET的基本工作原理如下:MOSFET是由硅晶体制成的晶体管。它有一个沟道,两个掺杂的P型或N型半导体区域和一个上面覆盖着非导电的氧化层的金属栅极。MOSFET在没有电压的情况下是关闭状态。 当栅极与源极之间的...
mos晶体管的
工作原理
答:
MOS场效应管,即金属-氧化物-半导体型场效应管
,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一...
mosfet工作
的
原理
是什么
答:
工作原理是通过控制一个小的电流来控制一个大的电流
。它由一个晶体管,一层金属源极和一层金属汇极组成。当在源极和汇极之间施加一个较小的控制电压时,通过晶体管的导通程度来控制通过源极到汇极的电流。这种电子控制的原理,使得MOSFET可以用于高效的电力控制应用。
mos管
工作
的
原理
是什么及详
答:
工作原理
:在
MOSFET
中,连接极与P沟道区域之间隔离,因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时,N沟道区域的电流会增加,电流就会从源极流入汇极。当连接极的电压为负时,N沟道区域的电流会减少,这种情况下称为开关关闭。此时电流流量很少,几乎为零。MOSFET分...
mosfet
是什么意思?
答:
工作原理
要使增强型N沟道
MOSFET工作
,要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS,则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。若先不接VGS(即VGS=0),在D与S极之间加一正电压VDS,漏极D与衬底之间的PN结处于反向,因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。
场效应管
工作原理
答:
简单解释一下MOS场效应管的
工作原理
。MOS 场效应管也被称为
MOSFET
, 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它普通有耗尽型和加强型两种。本文运用的为加强型MOS 场效应管,其内部构造见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P...
场效应管是个什么东西?
原理
作用都是什么?
答:
2.场效应管
工作原理
就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的...
请问电力
MOSFET
的
工作原理
是怎样的?
答:
电力
MOSFET
的
工作原理
(N沟道增强型VDMOS)截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。导电:在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT时,P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电 。电力...
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