44问答网
所有问题
当前搜索:
位错对材料性能的影响
与回复过程相比再结晶对电阻
影响
更大吗
答:
首先告诉你 电阻大小跟 点缺陷有关 点缺陷越大 点阵畸变越大 电阻率越高 塑性变形后点线面的缺陷都很高 低温回复时 使得点缺陷变少 电阻降低 中温回复 是异号
位错
抵消 塑性增加 高温回复 多边化 而再结晶是以等轴晶粒代替变形晶粒的过程 使得电阻变得更低 所以再结晶
影响
也很大 ...
影响
扩散的因素
答:
4、晶体的致密度越高,原子扩散时的路径越窄,产生的晶格畸变越大,同时原子结合能也越大,使得扩散激活能越大,扩散系数减小。5、晶粒尺寸越小,金属的晶界面积越多,晶界扩散对扩散系数的贡献就越大。6、晶体中的
位错对
扩散也有促进作用。7、化学成分
影响
:若增加浓度能使原子的Q减小,而D0增加,则...
紫铜带生产常见缺陷
答:
①温度:温度对金属电阻
的影响
是由于温度引起离子晶格热振动造成对电子波的散射,温度升高会使离子振动加剧、热振动振幅加大,原子的无序度增加,而使紫铜带电阻率随温度的升高而增加。②金属中的缺陷:紫铜带中的各种缺陷,如杂质原子、空位、内部(晶界)的
位错
和外部的表面造成晶格畸变引起电子波散射,从而...
钱临照的人物生平
答:
而我国由于受苏联学术界
的影响
,
位错
理论一时无法推广。直至1959年,钱临照才开始在物理研究所内写讲义,讲授和讨论这个国际公认的学说。随后,举行了两次全国性的晶体缺陷和金属强度的讨论会。钱临照和杨顺华合写了10万字的《晶体中位错理论基础》文章赴会报告。钱临照还和几位同事一起介绍了《晶体中位错的观测》。这两...
想要阻止核聚变反应堆熔化,应该怎么做?
答:
6. 材料中的缺陷,如
位错
和空隙,会在高剂量辐射下聚集。位错会导致材料硬化,而空隙则会导致材料膨胀。这种高密度的缺陷聚集会导致材料出现显著的变形。7. 在实验中,通常采用离子辐照来模拟中子辐照的效果,因为离子辐照的DPA峰相对较低,通常在6左右。8. 中子辐照
对材料的影响
可以通过观察9Cr2W低活化...
词语造句:用石榴石造句(约30个)
答:
4、通过野外与显微镜观察和电子探针分析,对柿竹园多金属矿床矽卡岩中石榴石的特征进行了研究。 5、本文开发了一种基于边界保角变换技术的有限元方法来研究熔体法石榴石晶体生长过程中界面动力学
的影响
。 6、本文研究了磁泡石榴石外延膜磁参数漂移的起因和抑制方法。 7、铁石榴石已在磁光涡流检测...
2022印尼地震对锡矿
的影响
答:
2022年印尼地震对锡矿
的影响
,有可能造成地基失效,包括有断层
位错
、滑坡、地基承载力下降乃至全部丧失(砂土液化现象),进而导致结构物倾斜、滑移、下沉、倒塌。结构振动破坏,与结构物自身特性有关系,自振频率、柔性、塑性、刚性等等导致的扭转破坏、脆性或者塑性破坏、局部破坏或者整体破坏。
你还不会分析透射照片吗?请详读这篇文章
答:
5 衍射衬度成像的应用:显微组织分析(晶粒、晶界、析出物)、晶体缺陷分析(
位错
、孪晶、层错)。衍射衬度图像显示晶体结构、取向和缺陷信息,是晶体
材料
分析的重要工具。6 位错分析:位错应变场形成衍射带,在明场像中为暗线,宽度约80-120埃,与真实位置有约80-100埃的偏移。图4-7展示不同位错像。
谁会操作拉晶炉!!
答:
1 引言 半导体技术的日新月异促使了硅单晶生长技术向大直径方向发展。目前,国内大直径直拉单晶制造的规模化生产刚刚起步,许多技术尚处在摸索阶段。生长无
位错的
大直径单晶,要求其生长环境有很高的稳定性。这使得一些破坏单晶生长稳定性的因素,在原先小直径单晶生长中
影响
不大,但是对大直径单晶生长的...
棣栭〉
<涓婁竴椤
45
46
47
48
49
50
51
52
53
76
其他人还搜