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晶体提纯的方法
高考化学-工艺流程专项复习系列 专项4-温度条件的控制
答:
(6)分离固体食盐和碘
的方法
:___、___。 【答案】e 2 c 1 a 5 f 4 d 3 h 6 【解析】 (1)碳酸钠与盐酸反应生成NaCl,则加适量盐酸,蒸发可分离,对应于装置2,故答案为e;2; (2)碳酸钙不溶于水,氯化钠
晶体
溶于水,则选择过滤法可分离,对应于装置1,故答案为c;1; (3)二者互溶,但沸点不同,则...
下列
提纯
物质的实验
方法
不正确的是 1 用碳酸钠溶液除去混在氯化钠溶液...
答:
第二个是错的!~~
化学分离与
提纯
之结晶
答:
降温结晶:先加热溶液,蒸发溶剂成饱和溶液,此时降低热饱和溶液的温度,溶解度随温度变化较大的溶质就会呈
晶体
析出,叫降温结晶。蒸发结晶:蒸发溶剂,使溶液由不饱和变为饱和,继续蒸发,过剩的溶质就会呈晶体析出,叫蒸发结晶。
高一化学必修一知识总结
答:
①在蒸馏烧瓶中放少量碎瓷片,防止液体暴沸。②温度计水银球的位置应与支管底口下缘位于同一水平线上。③蒸馏烧瓶中所盛放液体不能超过其容积的2/3,也不能少于l/3。④冷凝管中冷却水从下口进,从上口出。⑤加热温度不能超过混合物中沸点最高物质的沸点,例如用分馏
的方法
进行石油的分馏。iii、...
如图是A、B、C三种物质的溶解度曲线.请回答:(1)t1℃时,A、B、C三种...
答:
都会析出
晶体
,都还属于饱和溶液,因为饱和溶液的溶质质量分数计算
方法
是:溶解度溶解度+100g×100%,所以溶解度大的溶质质量分数就大,降温到t1℃时B的溶解度大于A的,所以B溶液的溶质质量分数大于A的,因为C降温后溶解度增大,变为不饱和溶液,溶质质量分数不变,因为t1℃时A的溶解度大于C物质在t2℃...
硝酸钾中混有氯化钠通过降温结晶
提纯的
硝酸钾
晶体
能洗涤吗?
答:
用无水乙醇洗涤啊,假如是脱水,可以这样,假如是洗杂质,没
办法
,回锅再析晶
半导体材料的材料工艺
答:
为了要达到对半导体材料的杂质原子和
晶体
缺陷这种既要限制又要利用的目的,需要发展一套制备合乎要求的半导体材料
的方法
,即所谓半导体材料工艺。这些工艺大致可概括为提纯、单晶制备和杂质与缺陷控制。半导体材料的提纯“主要是除去材料中的杂质。
提纯方法
可分化学法和物理法。化学提纯是把材料制成某种中间化合...
下列
提纯
物质的实验
方法
不正确的是①用Na 2 CO 3 溶液除去混在NaCl溶...
答:
C 答案:C①用Na 2 CO 3 溶液除去混在NaCl溶液中的MgCl 2 杂质,不正确,引入CO 3 2 ― 离子;②不正确,将水煮沸,除去混在水中的氧气,③不正确,用酒精与水混溶,不分层。④正确,温度高KMnO 4 会分解。
重结晶 什么意思
答:
有些晶体不纯含有杂质,这是可以用重结晶提纯,就是将物质溶解后利用所需物质与杂质在某溶剂中溶解度随温度变化的情况的差异,将所需物质重新结晶,而把杂质溶解在溶剂里或过滤除去,从而到
提纯晶体的方法
晶体
生长原理技术内容简介
答:
第二部分则是技术基础篇,分为三章,详细探讨了
晶体
生长过程中关键的传输行为,包括传质、传热和对流等,以及化学基础,如材料
提纯
与合成
的方法
,以及物理基础,如电、磁、力的作用原理。这一部分为实践操作提供了坚实的理论支撑。第三部分,技术篇涵盖了四种主要的晶体生长技术:以Bridgman法和Czochralski...
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