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Bump工艺
晶圆封装
bump
厂是干什么的
答:
Bump
制造。晶圆封装
bump
厂是做Bump制造的,晶圆级封装是一种先进的封装技术,因其具有尺寸小、电性能优良、散热好、成本低等优势,在晶圆级封装(WLP)工艺中,Bump制造是相当重要的一道工序。
bump
形貌影响因素
答:
1.
Bump
的形状有多种,常见的为球状和柱状,也有块状等其他形状。这些不同形状的Bump可能会影响其在实际应用中的性能。2.Bump的形貌还与其制作
工艺
有关。例如,使用倒装焊技术时,Bump的形状和大小会受到铝层(RDLrouting)的影响。在实际操作中,也可以通过改变工艺参数等方式来调整Bump的形貌。3.Bump...
先进封装
答:
Foveros技术的核心在于减小凸点间距以提高连接密度,而Intel的混合键合技术则探索了更小尺寸和更高密度的可能,挑战了传统凸点焊接技术的极限。
bump
pitch(凸块间距)和bump density(凸块密度)成为了衡量先进封装
工艺
先进性的关键指标。从50um的起点,主流制造商如台积电和Intel的Roadmap清晰地展示了间距的...
先
bump
还是cp
答:
先cp。在芯片测试中,CP是在测试晶圆,封装之前看,封装后都要FT的,
bump
wafer是在装上锡球,probing后就没有FT,所以是先cpbump。芯片测试,设计初期系统级芯片测试。SoC的基础是深亚微米工艺,因此,对Soc器件的测试需要采用全新的方法。
Bump
的Strip机台用什么化学品
答:
光刻胶。KrF厚膜光刻胶可用于封装中的
Bump
的Strip机台
工艺
,MEMS及3DNAND存储芯片的制造中,同时还可用于LCD领域,可以说应用范围非常广。
长电科技郑力:高精密封测技术将扛起后摩尔时代的产业大旗
答:
郑力表示,从市场数据来看,业界对高精密封装的定义还有两个硬性要求,即RDL要小于3μm,
Bump
Pitch小于50μm。在2019年以前,只有台积电和日月光能做到这两点, 但今年长电 科技 符合业界定义的高精密封装
工艺
也即将开始量产。整体来看,高精密封装市场还非常小,2019年时总市场规模只有5亿美元,但其...
什么是倒装芯片?
答:
UBM(Under
Bump
Metallization)</,即在凸点底部金属化,确保半导体性能的外露,常见的金属材料如金,通过溅射、蒸镀或化学镀等
工艺
形成。芯片凸点的形成</,如电镀焊料凸点,通过加热熔化,形成均匀的金属球状结构。热压连接</,将凸点芯片精确地组装到基板上,要求精确的温度和压力控制。底部填充</,...
COG加工流程
答:
ACF 使用
工艺
条件:贴ACF 温度100±10℃(ACF 的实际温度),压强约1Mpa ,时间1~5秒,主压压强约50~150Mpa(指每个IC
BUMP
上的压强,根据ACF 中导电球的受压效果决定压力的大小)。ACF 温度220±20℃(ACF 的实际温度),时间7~10秒。所有ACF从冰箱中取出后需在室温条件下 放置1小时后方可打开...
COG密封有哪些性能要求?
答:
COG全称是:CHIP ON GLASS COG密封有如下要求:1。ITO与
BUMP
的偏移量要小于正负6UM 2。每一个BUMP粒子数要大于5颗以上 3。IC破损深度小于60UM 4。ACF贴附精度大于IC上下左右各0.2mm以上 如有其它问题,请MAIL至:
[email protected]
我是专门做这个的工程师 ...
做手机屏幕的LCM模组每个IC
BUMP
至少要有多少个粒子 粒子爆破要有多少个...
答:
IC粒子,大于五颗以上。粒子爆破月牙型,两三个开口最好
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