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ä¸æå«åï¼ç¡ æ°§ï¼ç¡ åï¼ç¡ ç³ï¼ç¡ é ï¼ç³è±ç ï¼ééç³(å©æ»¤å)ï¼ç¡ è»å KIESSLGUHRï¼ç»é ¸æ´è¿çç²åº¦ä¸º60ï½80ç®ç红è²ç¡ è»åè²è°±è½½ä½P
è±æå«åï¼Silicon dioxide SiO₂ ,Silicon(IV)oxide ,Silicic anhydride ,Quartz sand HYFLOï¼KIESELGURï¼KIESELGELï¼CELITE(R)ï¼CHEMIZORBï¼BETZ 0247ï¼BETZ 0251ï¼KIESELGUHRï¼CELITE 281ï¼CELITE 503
CASå·ï¼14808-60-7[1]
ååå¼ SiO₂
ååé 60.084
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å¨å¤§å¤æ°å¾®çµåå·¥èºæå ´è¶£ç温度èå´å ï¼äºæ°§åç¡ çç»æ¶çä½å°å¯ä»¥è¢«å¿½ç¥ã
尽管çèç³è±ä¸æ¯é¿èå´æåºï¼ä½å®å´è¡¨ç°åºççæåºç»æï¼å®çç»æå¯è®¤ä¸ºæ¯4个氧ååä½äºåé¢ä½ç顶ç¹ä¸ãå¤é¢ä½ä¸å¿æ¯ä¸ä¸ªç¡
ååãè¿æ ·ï¼æ¯4个氧ååè¿ä¼¼å
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主è¦æ¯ç±ä»»ææ¹åçå¤é¢ä½ç½ç»ç»æçãä¸æ 氧桥ä½ç¸æ¯ï¼æ氧桥çé¨åè¶å¤§ï¼æ°§åå±çç²ååå°±è¶å¤§ï¼èä¸åæ伤çå¾åä¹è¶å°ã干氧氧åå±çæ氧桥ä¸æ 氧桥çæ¯çè¿å¤§äºæ¹¿æ°§æ°§åå±ã
在大多数微电子工艺感兴趣的温度范围内,二氧化硅的结晶率低到可以被忽略。 尽管熔融石英不是长范围有序,但它却表现出短的有序结构,它的结构可认为是4个氧原子位于四面体的顶点上。多面体中心是一个硅原子。这样,每4个氧原子近似共价键合到硅原子,满足了硅的化合价外壳。如果每个氧原子是两个多面体的一部分,则氧的化合价也被满足,结果就成了称为石英的规则的晶体结构。在熔融石英中,某些氧原子,成为氧桥位,与两个硅原子键合。某些氧原子没有氧桥,只和一个硅原子键合。可以认为热生长二氧化硅主要是由任意方向的多面体网络组成的。与无氧桥位相比,有氧桥的部分越大,氧化层的粘合力就越大,而且受损伤的倾向也越小。干氧氧化层的有氧桥与无氧桥的比率远大于湿氧氧化层。