有一些相关的规定。
1，比如与芯片类型有关，74hcxx输入高低电平分界在0.3-0.7vdd之间，如果电源电压为5v，分界在1.5v到3.5v都算合格。所以低于1.5v肯定是输入低电平，高于3.5v肯定是输入高电平，而1.5v到3.5v则不能确定。所以ttl芯片不能直接驱动高速cmos，而高速cmos可以直接驱动ttl。
2，74hctxx则另有规定，与ttl电平兼容，与74hcxx不同。各种单片机输入高低电平与此又稍有不同。
扩展资料：
CMOS逻辑历史
1，早期分离式CMOS逻辑元件只有“4000系列”一种（RCA 'COS/MOS'制程），到了后来的“7400系列”时，很多逻辑芯片已经可以利用CMOS、NMOS，甚至是BiCMOS（双载流子互补式金氧半）制程实现。
2，早期的CMOS元件和主要的竞争对手BJT相比，很容易受到静电放电（ElectroStatic Discharge, ESD）的破坏。而新一代的CMOS芯片多半在输出入接脚（I/O pin）和电源及接地端具备ESD保护电路，以避免内部电路元件的栅极或是元件中的PN结（PN-Junction）被ESD引起的大量电流烧毁。
3，此外，早期的CMOS逻辑元件（如4000系列）的操作范围可由3伏特至18伏特的直流电压，所以CMOS元件的栅极使用铝作为材料。
4，而多年来大多数使用CMOS制造的逻辑芯片也多半在TTL标准规格的5伏特底下操作，直到1990年后，有越来越多低功耗的需求与信号规格出现，取代了虽然有着较简单的信号接口、但是功耗与速度跟不上时代需求的TTL。
5，此外，随着MOSFET元件的尺寸越做越小，栅极氧化层的厚度越来越薄，所能承受的栅极电压也越来越低，有些最新的CMOS制程甚至已经出现低于1伏特的操作电压。这些改变不但让CMOS芯片更进一步降低功率消耗，也让元件的性能越来越好。
6，2004年后，又有一些新的研究开始使用金属栅极，不过大部分的制程还是以多晶硅栅极为主。关于栅极结构的改良，还有很多研究集中在使用不同的栅极氧化层材料来取代二氧化硅，例如使用高介电系数介电材料（high-K dielectric），目的在于降低栅极漏电流（leakage current）。
参考资料：百度百科-电平
参考资料：百度百科-CMOS电路
规定如下：CMOS门电路主要参数的定义同TTL电路，下面主要说明CMOS电路主要参数的特点。
（1）输出高电平VOH与输出低电平VOL。CMOS门电路VOH的理论值为电源电压VDD，VOH（min）=0.9VDD；VOL的理论值为0V，VOL（max）=0.01VDD。所以CMOS门电路的逻辑摆幅（即高低电平之差）较大，接近电源电压VDD值。
（2）阈值电压Vth。从CMOS非门电压传输特性曲线中看出，输出高低电平的过渡区很陡，阈值电压Vth约为VDD/2。
（3）抗干扰容限。CMOS非门的关门电平VOFF为0.45VDD，开门电平VON为0.55VDD。因此，其高、低电平噪声容限均达0.45VDD。其他CMOS门电路的噪声容限一般也大于0.3VDD，电源电压VDD越大，其抗干扰能力越强。
（4）传输延迟与功耗。CMOS电路的功耗很小，一般小于1 mW/门，但传输延迟较大，一般为几十ns/门，且与电源电压有关，电源电压越高，CMOS电路的传输延迟越小，功耗越大。前面提到74HC高速CMOS系列的工作速度己与TTL系列相当。
（5）扇出系数。因CMOS电路有极高的输入阻抗，故其扇出系数很大，一般额定扇出系数可达50。但必须指出的是，扇出系数是指驱动CMOS电路的个数，若就灌电流负载能力和拉电流负载能力而言，CMOS电路远远低于TTL电路。
扩展资料：
CMOS允许输入最低电压是-0.5V，超出范围就可能损坏芯片。可以在输入端接一个下拉电阻，输入的-5V串联一个二极管后再接到CMOS输入端，二极管负极接到输入端上，这样，只能加正电压，而加-5V时，二极管截止，这时输入就是0。
与TTL相比，CMOS的输入阻抗高，使其扇出能力比TTL强。此外，其阈值电压与电源电压有正比关系，比如低电平阈值0.3VDD，高电平阈值0.7VDD。TTL输入端可以开路，相当于输入高电平，而CMOS输入端不允许开路。
参考资料来源：百度百科-CMOS逻辑电路
本回答被网友采纳CMOS门电路的高低电平这样定义：小于0.3VDD为低电平，大于0.7VDD为高电平，中间的非法，但有可能被判别为高。CMOS电平标准有5VCMOS，3.3VCMOS即LVCMOS33，2.5VCMOS即LVCMOS25，还有1.8V的。
CMOS电路为互补型金属氧化物半导体电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字头缩写，由绝缘场效应晶体管组成，由于只有一种载流子，因而为一种单极型晶体管集成电路，其基本结构为一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管。
一般额定电压10%一下算为低电平，85%以上算为高电平，除此之外还有脉冲宽度的要求，比如一个非常窄的脉冲，虽然电压比较高，但是也不能被判定为高电平的。
扩展资料：
MCS-51单片机的逻辑部件，包括一个8位CPU及片内振荡器、 80514B掩膜ROM、87514KBEPROM、8031无ROM、特殊功能寄存 器SFR128BRAM、定时器/计数器T0及T1、并行I/O接口：P0、P1、P2、P3；串行接口：TXD、RXD；中断系统：INT0，INT1。
单片机也被称为单片微控器，属于一种集成式电路芯片。在单片机中主要包含CPU、只读存储器ROM和随机存储器RAM等，多样化数据采集与控制系统能够让单片机完成各项复杂的运算，无论为对运算符号进行控制，还是对系统下达运算指令都能通过单片机完成。
参考资料来源：百度百科-CMOS电路
参考资料来源：百度百科-单片机
本回答被网友采纳CMOS电平标准有5V CMOS，3.3V CMOS即LVCMOS33，2.5V CMOS即LVCMOS25，还有1.8V的。。。