存储器的种类分别是非易失性存储器ROM、易失性存储器RAM、FLASH存储器。
一、非易失性存储器ROM（Read One Momory）
ROM（Read Only Memory）只读存储器。用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。
ROM分为以下几个种类：
1、MASKROM：
厂商制造过程中使用一组特定的数据或指令进行编程，通过光刻工艺屏蔽存储器阵列的某些区域，将数据硬连接到ROM，从而创建永久的、不可更改的“1”和“0”图案。这意味着一旦芯片生产出来，就无法修改、擦除或重写数据。
2、PROM：
可编程只读存储器只允许写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”（One Time Progarmming ROM，OTP-ROM）。
PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0（部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1），以实现对其“编程”的目的。
PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”，如果我们想改写某些单元，则可以给这些单元通以足够大的电流，并维持一定的时间，原先的熔丝即可熔断，这样就达到了改写某些位的效果。
另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”，造成其永久性击穿即可。
3、EPROM：
EPROM是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。
一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。
4、EEPROM：
可电擦除、可编程的ROM，按字节进行删除和重写，写入时间很长很慢，现在多用作非易失的数据存储器。特点是可以随机访问与修改，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。
具有较高的可靠性，但是电路复杂成本也高。因此目前的EEPROM都是几十KByte到几百KByte的，很少有超过512KByte。
二、易失性存储器RAM（Random Access Memory）
RAM（Random Access Memory），随机存取存储器。与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫内存。
它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介，当电源关闭时RAM不能保留数据。RAM可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类。
1、静态RAM（Static RAM/SRAM）：
SRAM速度非常快，不需要刷新电路即能保存数据，是目前读写最快的存储设备了，但是集成度较低，非常昂贵。
2、动态RAM（Dynamic RAM/DRAM）：
DRAM保留数据的时间很短（需要刷新电路，每隔一段时间刷新一次，否则数据会消失），速度要比SRAM慢，不过还是比ROM要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
3、内存工作原理：
内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的＂动态＂指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。
但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
三、FLASH存储器
1、FLASH闪存：
FLASH闪存是非易失性（Non-Volatile）内存，结合了ROM和RAM的长处，可电擦除、可编程（EEPROM）、断电不会丢失数据、同时可以快速读取数据，U盘和MP3里用的就是这种存储器。
在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为存储设备，然而近年来FLASH全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储装载程序以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。
FLASH属于广义上的ROM，和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，相对于EEPROM的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，简化了电路，数据密度更高，降低了成本。目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。
NOR Flash：NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息。NOR FLASH数据线和地址线分开，可以实现RAM一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节，但是擦除仍要按块来擦。
NADN Flash：没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512Byte，采用这种技术的Flash比较廉价。
用户不能直接运行NAND Flash上的代码，NANDFlash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。大容量的用NANDFLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的＂闪盘＂，可以在线擦除。
NAND FLASH同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（NAND FLASH按块来擦除，按页来读，NOR FLASH没有页）。
由于NAND FLASH引脚上复用，因此读取速度比NORFLASH慢一点，但是擦除和写入速度比NOR FLASH快很多。NAND FLASH内部电路更简单，因此数据密度大、体积小、成本也低。因此大容量的FLASH都是NAND FLASH。小容量的2～12M的FLASH多是NOR FLASH。
FLASH工作原理：Flash Memory属于非易失性存储设备（Non-volatile Memory Device），FLASH的内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门（Floating Gate），是真正存储数据的单元。数据在Flash内存单元中是以电荷（electrical charge）形式存储的。
存储电荷的多少取决于外部门（external gate）所被施加的电压，控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。数据的表示是以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示。
对于数据的表示，单个存储单元中内部所存储电荷的电压，和某个特定的阈值电压Vth相比，如果大于此Vth值就是表示1，反之小于Vth就表示0。
对于NAND FLASH的数据的写入1，就是控制External Gate去充电，使得存储的电荷超过阈值Vth就表示1了。而对于写入0，就是控制External Gate去放电，使得电荷减少到小于Vth就表示0了。
2、SSD与HDD：
HDD：硬盘驱动器（Hard Disk Drive），最基本的电脑存储器，也就是机械硬盘，靠磁场存储信息，故也称为磁盘。在这里不做过多介绍。
SSD：固态硬盘（Solid State Drives）。由控制单元和存储单元（FLASH芯片、DRAM芯片）组成。固态硬盘的存储介质分为两种，一种是采用闪存（FLASH芯片）作为存储介质，另外一种是采用DRAM作为存储介质。
3、eMMC与USF2.0：
eMMC：eMMC的全称为“embedded Multi Media Card”，是由MMC协会所订立的、主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。
eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，eMMC利用的是它将主控制器、闪存颗粒整合到了一个小的BGA封装内。eMMC＝NAND Flash＋控制器＋标准封装接口。
UFS2.0：UFS2.0的闪存规格则采用了新的标准，它使用的是串行界面，很像PATA、SATA的转换。并且它支持全双工运行，可同时读写操作，还支持指令队列。
相比之下，eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包的，在速度上就已经是略逊一筹了。而且UFS芯片不仅传输速度快，功耗也要比eMMC5.0低一半，可以说是旗舰手机闪存的理想搭配。
总结：虽然eMMC在传输速度和性能方面不及现在最新的UFS2.0，但在日后相当长的一段时间内，还是会继续占领移动产品闪存芯片的主流。
因为eMMC有着更成熟的工艺，能够大规模生产，成本更低更适合大众化的移动产品闪存芯片需求；而UFS2.0虽然很好，但是生产成本较高，在现在刚开始投入市场的初期，只能够被放在高端产品上使用。
但以现在的趋势来看，UFS2.0将会逐渐成为移动产品市场的主流相信是不成问题，毕竟科技是需要进步的。