利用I对V的偏导求。
注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。
例子：VdsMOS处于线形区。
Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]。
然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）。
以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。
放大器
1、跨导放大器
跨导放大器（gm放大器）推出的电流正比于它的输入电压。在网络分析中，跨导放大器被定义为电压控制电流源（VCCS）。看到这些放大器安装在共源共栅配置，这是常见的，这提高了频率响应。
2、跨阻放大器
跨阻放大器输出正比于它的输入电流的电压。跨阻放大器通常被称为跨阻放大器，特别是半导体制造商。
一般是利用I对V的偏导求。
注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。
例子：VdsMOS处于线形区，
Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]
然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）
以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。
扩展资料：
对于真空管，跨导被定义为板（阳极）/阴极电流的变化除以电网/阴极电压的相应变化，恒定板（阳极）/阴极电压。gm典型值为小信号真空管是1至10毫西门子。它是真空管的三个特征常数之一，另外两个是增益μ（mu）和平板电阻rp或ra。
类似地，在场效应晶体管和MOSFET中，跨导是漏极电流的改变除以栅极/源极电压的小改变以及恒定的漏极/源极电压。gm的典型值为小信号场效应晶体管是1至30毫西门子。
本回答被网友采纳注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。
case1：VdsMOS处于线形区，
Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]
然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）
以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。
case2：Vds>Vgs-Vt，MOS处于饱和区，
Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]
同样求偏导：g = partial （Id）/partial （Vgs） = u*Cox*（Vgs-Vt）*（W/L）
如果你知道Id，而不知道Vgs，就用Id的表达式把Vgs代换掉即可，以case2为例，g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5
[]^x代表[]的内容的x次方。
跨导简介：
线性压控电流源的性质可表示为方程 I=gV ，其中g是常数系数。系数g称作跨导（或转移电导），具有与电导相同的单位。这个电路单元通常指放大器。
在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。本回答被网友采纳