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Question

请翻译高手帮忙,谢谢,在线等

A low K dielectric composite layer is formed of a low k barrier layer and a low K dielectric layer on the barrier layer. The barrier layer, which is deposited with the result of having a hydrophobic top surface, is treated with an oxygen plasma to convert the surface from hydrophobic to hydrophilic. A subsequent water-based clean is very effective in removing yield-reducing defects on the barrier layer due to the conversion of the surface of the barrier layer. After the water-based clean, the low K dielectric layer is formed on the surface of the barrier layer to achieve the composite layer that has a low K.
In the manufacturing of semiconductors, one of the developments has been the use of low k dielectrics-for an interlayer dielectric (ILD), the layer between conducting layers above the semiconductor substrate. This low K dielectric is to reduce capacitive coupling between conductors that are used as interconnect. Reducing this capacitive coupling is particularly important in cases where speed is a high priority, which is often the case. The low K materials are typically neither the best insulators nor the easiest to manufacture with high yield. Often barrier layers and capping layers are required in order to achieve all of the characteristics necessary for successful operation. These additional layers add steps, which complicate the process and potentially introduce yield problems.

Answer 1

低的 K 诱电性的合成物层一个低的 k 障碍被形成层和低的 K 电介体在障碍上的层层. 障碍层,与有恐水病的顶端表面的结果一起存放, 与一个氧血浆一起对待转换表面从恐水病的到水生植物. 一后来的以水为基础的干净非常有效在除去在障碍上的减少生产量的缺点方面由于障碍的表面转变层分层堆积. 在以水为基础者清理之后，低的 K 电介体层在障碍层的表面上被形成达成有低的 K 的含有种种要素的层.
在半导体的制造业中，发展之一已经是低 k 电介体的使用- 为一个夹层电介体 (ILD), 层在引导在半导体基体上面的层之间. 这电介体是减少在被用的领导者之间的电容联结的低 K 当互相连接之时. 特别地减少这一个电容的联结是重要的在速度是高的优先情形中, 时常是情形. 低的 K 材料典型地是既不是最好的绝缘体也不是最容易的以高生产量制造. 时常障碍分层堆积，而且胜过层为了要达成对成功的操作是必需的所有特性 , 被需要. 这些另外的层增加步骤,这弄复杂程序而且可能地介绍生产量问题.

Answer 2

低K介质复合层，是形成一个低介电常数阻挡层和低介电常数绝缘层对阻挡层。阻挡层，这是交存的结果，具有疏水性表面的顶面，是治疗氧离子转换，从表面疏水性，以亲水性。其后，水基清洁，是非常有效的清除率降低缺陷对阻挡层由于转换的表面阻挡层。后水基清洁，低介电常数绝缘层表面形成阻挡层，以达到复合层具有低k.
在制造半导体，其中的发展一直是使用低K电介质，为一种中间介质（中联部） ，层之间进行层以上的半导体基板。这种低介电常数介质，是要减少电容耦合导体被用来作为互连。减少这种电容耦合是特别重要的情况下，速度是一个高度优先事项，这是经常发生的情况。低介电常数材料通常既不是最好的绝缘体，也不是容易的，以制造高产量。往往垒层及封盖层所需，以实现所有的特点，有必要为成功的行动。这些额外的层放入步骤，过程复杂，并有可能引进产量的问题。

Answer 3

The combination of Synopsys' world class simulation tools, virtual prototyping products, and IP with Synplicity's Confirma platform, which accelerates functional verification of ASICs, will accelerate revenue growth in the rapidly growing market for SoC verification solutions. The acquisition also provides the opportunity to leverage Synopsys' advanced IC technology to further improve Synplicity's market leading FPGA synthesis products, and Synplicity will gain an expanded product portfolio with which to serve its approximately 1,800 customers.
翻译
http://zhidao.baidu.com/question/48986753.html我这也有分拿，谁帮帮忙

Answer 4

低K电介质综合层数障碍层被形成低的k和在障碍层的低K电介质层数。 障碍层，放置与结果的有一个疏水顶面，对待以氧气等离子转换从疏水的表面成亲水。 一随后水基干净是非常有效的在去除在障碍层由于的产生减少的瑕疵表面的转换障碍层。 在水基干净以后，低K电介质层数在表面被形成障碍层达到有低K.的综合层数。 In半导体制造业，其中一发展是使用低k电介质为夹层电介质(ILD)，在举办之间的层数在半导体基体之上分层堆积。 这低K电介质是减少在使用作为互联的指挥之间的电容耦合。 减少这电容耦合是特别重要的，在速度是特别优先权的处，经常是实际情形。 低K材料不典型地是最佳的绝缘体和最容易制造与高出产量。 通常要求阻挡层和加盖的层数为了达到所有特征必要为成功的操作。 这些另外的层数增加步，使过程复杂化和潜在地介绍出产量问题。