光敏电阻是一种利用半导体材料制成的器件，其工作原理基于光电效应。当光敏电阻受到光照时，光子会与半导体中的电子相互作用，从而改变电子的能量状态和运动轨迹。
光敏电阻通常由P型和N型半导体材料构成，这两种材料的结合形成了一个PN结。在无光照的情况下，PN结内部存在一个内建电场，使得P区的空穴（正电荷）和N区的电子（负电荷）分别聚集在结的两侧，形成稳定的电势差。
当光敏电阻受到光照时，光子会与半导体中的电子相互作用。如果光子的能量大于半导体材料的禁带宽度，那么光子可以激发出价带中的一个电子跃迁到导带中，形成一个自由电子和一个空穴。这个过程被称为光电效应。
在PN结内部，由于光照产生的电子-空穴对会在内建电场的作用下分离，电子会被推向N区，而空穴会被推向P区。这样，就会产生一个光生电动势，使得PN结的电势差发生变化。
通过测量光敏电阻的电势差变化，就可以得知光照的强度。因为光照强度越大，产生的电子-空穴对就越多，电势差的变化也就越大。因此，光敏电阻可以用来测量光的强度、颜色、频率等参数。
需要注意的是，光敏电阻的灵敏度会受到温度、波长和器件材料等因素的影响。为了提高光敏电阻的灵敏度和稳定性，通常会采用一些技术手段，如增加光照面积、优化材料结构、使用滤光片等。