电子显微镜下：14nm与7nm工艺的Intel和AMD缓存差距有多大？

Question

如题所述

Answer 1

结论：电子显微镜揭示了英特尔14nm+++工艺的酷睿i9-10900K与台积电7nm的AMD锐龙9 3950X在制程工艺上的微妙差异。尽管命名上英特尔稍显滞后，但实际对比中显示出了一些关键信息。

Der8auer这位加拿大Up主通过严谨的实验，对两者进行了拆解并利用电子显微镜进行深入研究。他们选择关注的是处理器的L2缓存部分，因为这个区域通常反映了工艺的精细程度。

英特尔14nm工艺的晶体管栅极宽度为24nm，而AMD的栅极宽度则为22nm，两者在栅高上也相差不大。然而，通过放大镜观察，可以看到台积电7nm节点的晶体管密度明显高于英特尔，这在理论上意味着它在制程上确实领先一代。

尽管表面看起来差别不大，但这些微观层面的差异对于处理器性能和能效有着深远影响。尽管英特尔在命名上可能稍显保守，但实际工艺水平不容小觑。不过，未经许可，这些详细的工艺对比结果切勿随意传播。