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已知半径为R无限长圆柱面
半径为R
1和R2(R1<R2)的两
无限长
同轴
圆柱面
,单位长度分别带有电量纳姆达...
答:
电场强度即场强 E, 在如题所列条件中,E = λ / (2π ε0
r
), (R1 >= r >= R2);E = 0(在 r < R1 和 r > R2 区域 )用高斯定理进行计算。在 R1、R2 之间的区域内,E 2π r h = λ h / ε0,得到 E = λ / (2π ε0 r), (R1 >= r >= R2)同理,在...
真空中有半个
无限长
均匀带电
圆柱面
,截面
半径为R
,电荷面密度为σ,求中部...
答:
dE = σ
R
dθ / (2π ε0 R) = σ dθ / (2π ε0 )E = ∫dE . sinθ = ∫ (0, π) σ / (2π ε0 ) . sinθ dθ = σ / (π ε0 )
大学物理题求教
半径为R的无限长圆柱面
,其电荷面密度为σ=σ0cosφ...
答:
回答:给我你的邮箱
...带电的圆柱体内,有一
半径为R
/2同轴
无限长圆柱体
空腔,空腔任一点的...
答:
任意点电场强度:DE=Rd/(0)=d/(20)。E=的积分。sinθ。=∫(0,)/(2)正弦d。=/(0)。电场强度是电场中某一点的电荷所受到的静电力F与电荷量的比值。定义为E=F/Q,适用于所有电场。其中F是电场对试验电荷施加的力,Q是试验电荷的电荷量。单位的N/C。
两个带等量异号电荷的
无限长
同轴
圆柱面
,
半径
分别
为r
1r2,r1r2 (2)r1...
答:
做
半径为r
,高度为h的同轴
圆柱面
为高斯面,高斯面面积S=2πrh,r<R1,高斯面包围的电荷为零所以E1=0;R1<r<R2高斯面包围的电荷为q=λh。据高斯定理:E2*S=q/ε0--E2=λ/(2πε0*r);r>R2,S所包围的净电荷为零,所以E3=0。电荷决定了带电粒子在电磁方面的物理行为。静止的带电粒子...
无限长
带电直线场强大小公式,用高斯定理
是
怎么推算的?
答:
无限长
均匀带电
圆柱面
的内部的电场强度为零,可以取圆柱状的高斯面,只有侧面有电通量,代入高斯定律可得电场强度。在静电学中,表明在闭合曲面内的电荷之和与产生的电场在该闭合曲面上的电通量积分之间的关系。电场强度:对任意封闭曲面的通量只取决于该封闭曲面内电荷的代数和,与曲面内电荷的位置分布...
无限长
均匀带电
圆柱面
的电场强度用高斯定理怎么求
答:
无限长
均匀带电
圆柱面
的内部的电场强度为零,外部的电场强度强度计算如下图,可以取圆柱状的高斯面,只有侧面有电通量,代入高斯定律可得电场强度。高斯定理,静电场的基本方程之一,它给出了电场强度在任意封闭曲面上的面积分和包围在封闭曲面内的总电量之间的关系。矢量分析的重要定理之一。穿过一封闭曲面...
半径
分别
为R
1和R2的一对
无限长
共轴
圆柱面
上均匀带电,沿轴线单位长度的电...
答:
外部场强为E=λ/(2*PI*episilon*
r
),场强与距离成反比 对于本题,最内侧场强为零,中间场强为E=λ1/(2*PI*episilon*r),外部场强为E=(λ1+λ2)/(2*PI*episilon*r),若λ1=-λ2,则最外面和最里面的场强都为零,场强只存在于两个
圆柱面
之间,叫做圆柱型电容器 ...
1、“
无限长
”
圆柱面
,
半径
,单位电荷线密度 。求:电场分布
答:
圆柱面外部场强:做一个同轴的,
半径
(R)大于带电圆柱面的高斯面(其实也是一个
无限长圆柱面
)。显然,这个高斯面包围了电荷。现在把这个高斯面截取一段长度L,单独拿出来研究:可以很容易
知道
,这个截取的高斯面所包围的电荷,就是长度为L的,一段带电圆柱面,所带的电荷量,即Q=λL。(λ为线电荷...
大学物理中,为什么在求
无限长
同轴
圆柱面
的一些位置的电场强度时用的
是
...
答:
主要看题目给出的条件是单位线密度还是单位面密度,例如
已知
一个
半径为r
高度为l的
圆柱面
,求圆柱侧面的电荷总量Q 若P为电荷单位线密度,则Q=P*l(P相当于一个周长为2πr的圆的所有电荷总和)若P为电荷单位面密度,则Q=P*2πrl(P相当于一个点所有的电荷)不
知道
你要问的是不是这个,望采纳,...
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